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名稱:CHI900D/920D掃描電化學(xué)顯微鏡

  電化學(xué)掃描顯微鏡(SECM)發(fā)明于1989年并獲得美國(guó)專利。CH InstrumentsUniversity of Taxes at Austin的化學(xué)系的Allen J. Bard教授合作實(shí)現(xiàn)了電化學(xué)掃描顯微鏡的儀器商品化,從而使得這一強(qiáng)有力的研究方法走進(jìn)了更多的實(shí)驗(yàn)室。

         掃描電化學(xué)顯微鏡與掃描隧道顯微鏡(STM)的工作原理類似。但SECM測(cè)量的不是隧道電流,而是由化學(xué)物質(zhì)氧化或還原給出的電化學(xué)電流。盡管SECM的分辨率較STM低,但SECM的樣品可以是導(dǎo)體,絕緣體或半導(dǎo)體,而STM只限于導(dǎo)體表面的測(cè)量。SECM除了能給出樣品表面的地形地貌外,還能提供豐富的化學(xué)信息。其可觀察表面的范圍也大得多。

         SECM的實(shí)驗(yàn)中,探頭先移動(dòng)到非?拷鼧悠繁砻,然后在X-Y的平面上掃描。探頭是雙恒電位儀的第一個(gè)工作電極。如果樣品也是導(dǎo)體,則通常作為第二個(gè)工作電極。探頭的電位控制在由傳質(zhì)過(guò)程控制的氧化或還原的電位。而樣品的電位被控制在其逆反應(yīng)的電位。由于探頭很靠近樣品,探頭上的反應(yīng)產(chǎn)物擴(kuò)散到樣品表面又被反應(yīng)成為原始反應(yīng)物并回到探頭表面再作用,從而造成電流的增加。這被稱為"正反饋"方式。正反饋的程度取決于探頭和樣品間的距離。如果樣品是絕緣體,當(dāng)探頭靠近樣品時(shí),反應(yīng)物到電極表面的擴(kuò)散流量受到樣品的阻礙而造成電流的減少。這被稱為"負(fù)反饋"方式。負(fù)反饋的程度亦取決于探頭和樣品間的距離。探頭電流和探頭與導(dǎo)體或絕緣體樣品間的距離的關(guān)系可通過(guò)現(xiàn)有理論計(jì)算得到。

         基于以上特性,SECM已在多個(gè)領(lǐng)域發(fā)現(xiàn)了許多應(yīng)用。SECM能被用于觀察樣品表面的化學(xué)或生物活性分布,亞單分子層吸附的均勻性,測(cè)量快速異相電荷傳遞的速度,一級(jí)或二級(jí)隨后反應(yīng)的速度,酶-中間體催化反應(yīng)的動(dòng)力學(xué),膜中離子擴(kuò)散,溶液/膜界面以及液/液界面的動(dòng)力學(xué)過(guò)程。SECM還被用于單分子的檢測(cè),酶和脫氧核糖核酸的成像,光合作用的研究,腐蝕研究,化學(xué)修飾電極膜厚的測(cè)量,納米級(jí)刻蝕,沉積和加工,等等。SECM的許多應(yīng)用或是其他方法無(wú)法取代的,或是用其他方法很難實(shí)現(xiàn)的。

         CHI900D/920DSECMCHI900C/920C的改進(jìn)型。儀器由雙恒電位儀/恒電流儀,高分辨的三維定位裝置,和樣品/電解池架子組成。三維定位裝置采用步進(jìn)電機(jī)(CHI900D)或者步進(jìn)電機(jī)與壓電晶體的組合(CHI920D),可允許50毫米的運(yùn)行距離并達(dá)到納米的空間分辨。與CHI900B/910B采用的步進(jìn)電機(jī)相比,新的步進(jìn)電機(jī)的線性度和分辨率都明顯改善。步進(jìn)電機(jī)移動(dòng)平臺(tái)的分辨率可達(dá)4納米。這使得大部分SECM的應(yīng)用可以僅用步進(jìn)電機(jī)定位器(CHI900D)來(lái)實(shí)現(xiàn)。從而進(jìn)一步降低了儀器的價(jià)格。在需要不斷調(diào)整定位器而達(dá)到電流控制或其它控制的情況下,可采用步進(jìn)電機(jī)與壓電晶體閉環(huán)控制定位器的組合(CHI920D)。CHI920D的壓電晶體閉環(huán)控制定位器為XYZ三維空間。

         雙恒電儀集成了數(shù)字信號(hào)發(fā)生器和高分辨數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)。電位范圍為±10V,電流范圍為±250mA。儀器的噪聲極低,其電流測(cè)量可低于1pA。兩個(gè)工作電極的電位可單獨(dú)控制,也允許同步掃描或階躍。與CHI900B相比,CHI900D在保持低噪聲的條件下,速度大為提高。信號(hào)發(fā)生器的更新速率為10MHz,數(shù)據(jù)采集采用兩個(gè)同步16位高分辨低噪聲的模數(shù)轉(zhuǎn)換器,雙通道同時(shí)采樣的最高速率為1MHz。循環(huán)伏安法的掃描速度為1000V/s時(shí),電位增量?jī)H0.1mV,當(dāng)掃描速度為5000V/s時(shí),電位增量為1mV。儀器增加了交流測(cè)量方法,如交流阻抗的測(cè)量頻率可達(dá)1MHz,交流伏安法的頻率可達(dá)10KHzCHI900D仍具備恒電流儀,正反饋iR降補(bǔ)償,用于旋轉(zhuǎn)電極轉(zhuǎn)速控制的模擬電壓輸出信號(hào)(0-10V),外部信號(hào)輸入通道,以及一個(gè)16位高分辨高穩(wěn)定的電流偏置電路。

         除了SECM成像以外,儀器還提供探頭掃描曲線,探頭逼近曲線和表面成像處理。探頭可沿X,Y,或Z的方向掃描,探頭和第二工作電極的電位可獨(dú)立控制并分別測(cè)量?jī)蓚(gè)通道的電流。當(dāng)電流達(dá)到某一設(shè)定值時(shí),探頭會(huì)停止掃描。探頭逼近表面時(shí)采用PID控制,可自動(dòng)調(diào)節(jié)移動(dòng)步長(zhǎng)使得快速逼近但又避免探頭碰撞樣品表面。儀器的控制軟件是多用戶界面的視窗程序,十分友好易用。儀器的其他特點(diǎn)還包括靈活的實(shí)驗(yàn)控制,數(shù)據(jù)分析,并集成了三維圖形。除了電流檢測(cè)方式,探頭的電位也能被檢測(cè),從而允許用電位法做SECM。儀器還允許多種常規(guī)電化學(xué)測(cè)量方法。

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硬件參數(shù)指標(biāo)

 

高分辨的三維定位裝置:

步進(jìn)電機(jī)XYZ分辨率:8nm  (CHI900D)

步進(jìn)電機(jī)加閉環(huán)壓電晶體XYZ分辨率:1.6nm (CHI920D)

XYZ移動(dòng)距離:50 mm

 

恒電位儀/雙恒電位儀

·  零阻電流計(jì)

·  2,3,4電極結(jié)構(gòu)

·  浮動(dòng)地線或?qū)嵉?/SPAN>

·  兩個(gè)通道最大電位范圍: ±10 V

·  最大電流:±250 mA 連續(xù)(兩個(gè)通道電流之和), ±350 mA 峰值

·  槽壓:±13 V

·  恒電位儀上升時(shí)間: 小于 1 ms, 通常 0.8 ms

·  恒電位儀帶寬(-3分貝):1 MHz

·  所加電位范圍:±10 mV, ±50 mV, ±100 mV, ±650   mV, ±3.276 V, ±6.553 V, ±10 V

·  所加電位分辨:電位范圍的0.0015%

·  所加電位準(zhǔn)確度: ±1 mV,±滿量程的0.01%

·  所加電位噪聲:< 10 mV 均方根植

·  測(cè)量電流范圍:±10 pA  ±0.25 A, 12量程

·  測(cè)量電流分辨:電流量程的0.0015%,最低 0.3 fA

·  電流測(cè)量準(zhǔn)確度:電流靈敏度大于等于1e-6 A/V時(shí)為0.2%,其他量程1%

·  輸入偏置電流:< 10 pA

 

恒電流儀

·  恒電流范圍: 3 nA – 250 mA

·  所加電流準(zhǔn)確度:如果電流大于 3e-7A時(shí)為0.2%,其他范圍為1%±20 pA

·  所加電流分辨率:電流范圍的0.03%

·  測(cè)量電流范圍: ±0.025 V, ±0.1 V, ±0.25 V, ±1 V, ±2.5 V, ±10 V
  
·  測(cè)量電位分辨率:測(cè)量范圍的0.0015%

 

Electrometer:  電位計(jì)

·  參比電極輸入阻抗:1e12 歐姆

·  參比電極輸入帶寬: 10 MHz

·  參比電極輸入偏置電流:<= 10 pA @ 25°C

 

波形發(fā)生和數(shù)據(jù)獲得系統(tǒng)

·  快速信號(hào)發(fā)生更新速率:10 MHz, 16位分辨

·  快速數(shù)據(jù)采集系統(tǒng):16位分辨,雙通道同步采樣,采樣速率每秒1,000,000 點(diǎn)

·  外部信號(hào)記錄通道最高采樣速率1M Hz

 

其他特點(diǎn)

·  自動(dòng)或手動(dòng)iR降補(bǔ)償

·  電流測(cè)量偏置:滿量程,16位分辨,0.003% 準(zhǔn)確度

·  電位測(cè)量偏置:±10V,16位分辨,0.003% 準(zhǔn)確度

·  外部電位輸入

·  電位和電流的模擬輸出

·  可控電位濾波器的截止頻率: 1.5 MHz, 150 KHz, 15   KHz, 1.5 KHz, 150 Hz, 15 Hz, 1.5 Hz, 0.15 Hz

·  可控信號(hào)濾波器的截止頻率: 1.5 MHz, 150 KHz, 15   KHz, 1.5 KHz, 150 Hz, 15 Hz, 1.5 Hz, 0.15 Hz

·  旋轉(zhuǎn)電極控制電壓輸出(CHI630E以上型號(hào)):0-10V 對(duì)用于 0-10000 rpm的轉(zhuǎn)速,16位分辨,0.003%準(zhǔn)確度,需要某些旋轉(zhuǎn)電極裝置才能工作

·  通過(guò)宏命令可以控制數(shù)字輸入輸出線

·  內(nèi)閃存儲(chǔ)器可迅速更新程序

·  串行口或USB口數(shù)據(jù)通訊

·  電解池控制:通氮,攪拌,敲擊(需要特殊電解池系統(tǒng))

·  CV數(shù)字模擬器和擬合器。用戶定義反應(yīng)機(jī)理

·  交流阻抗模擬器和擬合器

·  探頭逼近曲線的模擬和擬合

·  最大數(shù)據(jù)長(zhǎng)度:256,000-16,384,000 點(diǎn)可選擇

·  儀器尺寸:兩個(gè) 37 cm () ´ 23 cm () ´ 12   cm ()

·  儀器重量: 7 kg

 

實(shí)驗(yàn)技術(shù)

 

掃描探頭技術(shù):

表面成象處理 (SPC)

探頭掃描曲線 (PSC,XY,Z方向)

探頭逼近曲線 (PAC)

掃描電化學(xué)顯微鏡 (SECM)

PSCSECM允許電流,電位,常電流,阻抗檢測(cè)

 

電位掃描技術(shù):

循環(huán)伏安法 (CV)

線性掃描伏安法 (LSV)

TAFEL (TAFEL)

 

電位階躍和脈沖技術(shù):

計(jì)時(shí)電流法 (CA)

計(jì)時(shí)電量法 (CC)

階梯波伏安法 (SCV)

差分脈沖伏安法 (DPV)

常規(guī)脈沖伏安法 (NPV)

差分常規(guī)脈沖伏安法 (DNPV)

方波伏安法 (SWV)

 

交流技術(shù):

交流伏安法 (ACV)

二次諧波交流伏安法 (SHACV)

傅里葉變換交流伏安法 (FTACV)

交流阻抗 (IMP)

交流阻抗-電位 (IMPE)

交流阻抗-時(shí)間 (IMPT)

 

恒電流技術(shù):

計(jì)時(shí)電位法 (CP)

電流掃描計(jì)時(shí)電位法 (CPCR)

多電流階躍 (ISTEP)

電位溶出分析 (PSA)

 

其它電化學(xué)測(cè)量技術(shù):

時(shí)間-電流曲線 (i-t)

差分脈沖安培法 (DPA)

雙差分脈沖安培法 (DDPA)

三脈沖安培法 (TPA)

積分脈沖電流檢測(cè) (IPAD)

掃描-階躍混和方法 (SSF)

多電位階躍 (STEP)

流體力學(xué)調(diào)制伏安法 (HMV)

控制電位電解庫(kù)侖法 (BE)

電化學(xué)噪聲測(cè)量 (ECN)

各種溶出伏安法

開(kāi)路電位-時(shí)間曲線 (OCPT)

 

實(shí)驗(yàn)參數(shù)

·  CVLSV掃描速度:  0.000001V/s  10,000 V/s,雙通道同步掃描及采樣至10,000 V/s

·  掃描時(shí)的電位增量:0.1 mV (當(dāng)掃速為 1,000 V/s時(shí))

·  CACC的脈沖寬度: 0.0001  1000   sec

·  CA的最小采樣間隔: 1 ms, 雙通道同步

·  CC的最小采樣間隔: 1 ms

·  CC模擬積分器

·  DPVNPV的脈沖寬度:0.001    10 sec

·  SWV頻率: 1    100 kHz

·  i-t 的最小采樣間隔: 1 ms, 雙通道同步

·  ACV頻率范圍:0.1  10   kHz

·  SHACV頻率范圍:0.1  5 kHz

·    FTACV頻率范圍:0.1  50Hz,可同時(shí)獲取基波,二次諧波,三次諧波,四次諧波,五次諧波,六次諧波的ACV數(shù)據(jù)

·  交流阻抗: 0.00001  1 MHz

·  交流阻抗波形幅度: 0.00001 V  0.7 V 均方根值

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